[发明专利]一种非金属真空腔室结构有效

专利信息
申请号: 201110287953.7 申请日: 2011-09-26
公开(公告)号: CN102290313A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种非金属真空腔室结构,属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;进气口设置于上盖板的中心处,排气口设置于下盖板的中心处,上盖板、下盖板与腔室筒体密封连接,射频线圈设置于腔室筒体的两侧。本发明的非金属真空腔室由非金属材料制成,结构简单,密封性好,易于安装,维护方便,提高了真空腔室的真空抽速和工艺条件的可靠性。
搜索关键词: 一种 非金属 空腔 结构
【主权项】:
一种非金属真空腔室结构,其特征在于,包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口;所述进气口设置于所述上盖板的中心处,所述排气口设置于所述下盖板的中心处,所述上盖板、下盖板与腔室筒体密封连接,所述射频线圈设置于所述腔室筒体的两侧。
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