[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法无效
| 申请号： | 201110287875.0 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103022308A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及透明导电层，所述透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，该第一透明导电层、第二透明导电层均由氧化铟锡材料制成，第一透明导电层的含氧量低于第二透明导电层的含氧量，第一透明导电层的厚度小于第二透明导电层的厚度。本发明还涉及该种发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括依次设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层以及透明导电层，其特征在于：所述透明导电层包括第一透明导电层和第二透明导电层，该第一透明导电层、第二透明导电层均由氧化铟锡材料制成，第一透明导电层的含氧量低于第二透明导电层的含氧量，第一透明导电层的厚度小于第二透明导电层的厚度。
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