[发明专利]一种发光二极管、电子设备及制造方法无效
| 申请号： | 201110274329.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102332514A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 高成 | 申请（专利权）人： | 协鑫光电科技（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 215600 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管、电子设备及制造方法，解决现有技术中存在的LED的流明效率还是较低的问题，其中，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料，由于紧邻多量子阱结构MQW插入金属内核-电介质外壳(core-shell)形式的纳米颗粒组，避免漏电或非辐射损失提高了IQE，从而增加LED的流明效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，发光二极管的衬底上依次设置有第一导电类型半导体层、多量子阱结构和第二导电类型半导体层，其中，在第二导电类型半导体层内邻近多量子阱结构的位置，内嵌有多个相互之间具有间隙的纳米颗粒组，纳米颗粒组具有电介质的外表层，以及被外表层包裹的金属纳米颗粒内核，纳米颗粒组的间隙填充有第二导电类型半导体材料。
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