[发明专利]一种新的接触孔的制造方法无效
| 申请号： | 201110265269.9 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102437097A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 傅昶;胡友存;张亮;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种新的接触孔的制造方法，在硅衬底中形成有接触晶体管有源区的金属硅化物，在硅衬底上依次淀积有通孔刻蚀阻挡层和氧化物层、低介电常数阻挡层、Low-K介质层，在氧化物层中形成一个贯穿通孔刻蚀阻挡层并接触金属硅化物的接触孔，在接触孔孔壁及孔底淀积有第一金属阻挡层，形成的钨栓填充在接触孔中，在Low-K介质层中形成一贯穿低介电常数阻挡层的凹槽，接触孔位于凹槽的底部，其特征在于，进行湿法刻蚀去除位于接触孔上部分的钨栓和接触孔阻挡层，之后在凹槽的内壁和底部以及接触孔上部分裸露的内壁上沉积一层第二金属阻挡层，第二金属阻挡层还覆盖在剩余的钨栓上，再在凹槽和接触孔上部分中填充金属铜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新的接触孔的制造方法，在硅衬底中形成有接触晶体管有源区的金属硅化物，在硅衬底上依次淀积有通孔刻蚀阻挡层和氧化物层、低介电常数阻挡层、Low‑K介质层，在氧化物层中形成一个贯穿通孔刻蚀阻挡层并接触金属硅化物的接触孔，在接触孔孔壁及孔底淀积有第一金属阻挡层，形成的钨栓填充在接触孔中，在Low‑K介质层中形成一贯穿低介电常数阻挡层的凹槽，接触孔位于凹槽的底部，其特征在于，进行湿法刻蚀去除位于接触孔上部分的钨栓和接触孔阻挡层，之后在凹槽的内壁和底部以及接触孔上部分裸露的内壁上沉积一层第二金属阻挡层，第二金属阻挡层还覆盖在剩余的钨栓上，再在凹槽和接触孔上部分中填充金属铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
