[发明专利]对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法无效
| 申请号： | 201110265040.5 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN103000227A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 曾志敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二：使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位。本发明在进行物理分析定位前建立起失效模型，能够使失效模型的建模具有系统性的特点，并且大大提高非挥发存储器故障点定位的逻辑严密性和精确度，从而提高失效分析的定位效率和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 存储器 类产品 进行 失效 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型‑失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二：使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位；工序一、对存储器进行测试，获得真值表中的失效表征信息，包括关键电路模拟量和失效单元位图信息；工序二、使用工序一中测量所获得的失效表征信息作为输入，在“失效模型‑失效表征”真值表中通过查表的方法得到与输入特征对应的失效模型。
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