[发明专利]一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法

摘要

本发明提供了一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法，属于材料技术领域。其特征是：在CuInS2薄膜表面电镀微量金属铅颗粒，或者连续离子层吸附反应沉积硫化铅颗粒，或者先电镀微量金属铅颗粒、然后沉积硫化铅颗粒。本发明显著提高了CuInS2薄膜的光电转换效率。

主权项

一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法，其特征在于：在CuInS2薄膜表面恒电位沉积微量金属铅颗粒，或者采用连续离子层吸附反应法沉积硫化铅颗粒，或者先恒电位沉积微量金属铅颗粒、然后沉积硫化铅颗粒；与未经表面修饰的CuInS2薄膜相比，表面修饰后的CuInS2薄膜的光电转换效率显著提高。