[发明专利]使用炉管进行工艺加工的方法无效
申请号: | 201110257722.1 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN102969220A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 李琳松;孙勤 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种使用炉管进行工艺加工的方法,首先于主反应步骤设定依次递增的温度,确保晶舟的各个位置硅片的成膜膜厚均匀一致;其次还可以新增补偿反应步骤,所述补偿反应采用的气体只是主反应中的保护性气体;所述补偿反应设定与主反应相反方向的依次递增的温度;所述补偿反应的时间与主反应相同;从而补足晶舟的各位个置的热效应差异,同时确保成膜均匀性一致。 | ||
搜索关键词: | 使用 炉管 进行 工艺 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种使用炉管进行工艺加工的方法,所述炉管指炉体设备的工艺腔,由内到外依次包括晶舟、内管、外管、加热设备,其特征是,包括如下步骤:第1步,硅片传输系统在晶舟上放置硅片;第2步,硅片传输系统让晶舟进入内管;第3步,提升内管内的温度,和/或将内管内抽成真空;第4步,进行主要反应,设定内管内的温度由上到下或由下到上依次递增,递增方向与内管内的反应气体浓度降低的方向相同;第5步,降低内管内的温度,和/或破除内管内的真空环境;第6步,硅片传输系统让晶舟移出内管;第7步,硅片传输系统将硅片从晶舟上取出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110257722.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装用固晶机点胶座
- 下一篇:分体式无短路微泡浮选装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造