[发明专利]图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110252604.1 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102417371A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 赵强;杨传仁;张继华;陈宏伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/52 | 分类号： | C04B41/52 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括下述步骤：A、在单晶硅片表面制备一层致密的氧化硅膜；B、在被热氧化过的硅片表面制备一层三氧化二铝薄膜；C、采用光刻方法把三氧化二铝薄膜制备为图形化的薄膜；D、将表面覆盖图形化三氧化二铝薄膜的热氧化硅基片垂直地置于管式炉中央，基片所在处的温度控制在360～400℃，待基片温度稳定后，将三氧化铬蒸发源置入温度为240～280℃处，从蒸发源一侧通入氧气，氧气流量60～100毫升/分钟，二氧化铬薄膜生长时间为2～5小时。本发明所得二氧化铬薄膜具有很高的纯度。能够制备大面积任意图形化二氧化铬薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 铁磁性 氧化铬 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
图形化铁磁性二氧化铬薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：A、在单晶硅片表面制备一层致密的氧化硅膜；B、在被热氧化过的硅片表面制备一层三氧化二铝薄膜；C、采用光刻方法把三氧化二铝薄膜制备为图形化的薄膜；D、将表面覆盖图形化三氧化二铝薄膜的热氧化硅基片垂直地置于管式炉中央，基片所在处的温度控制在360～400℃，待基片温度稳定后，将三氧化铬蒸发源置入温度为240～280℃处，从蒸发源一侧通入氧气，氧气流量60～100毫升/分钟，二氧化铬薄膜生长时间为2～5小时。
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