[发明专利]一种用于集成电路制造的场区隔离方法有效
| 申请号： | 201110240190.0 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102270598A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄如;云全新;安霞;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 集成电路 制造 场区 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路制造的场区隔离方法，其步骤包括：1)在半导体衬底上通过光刻定义出有源区和场区；2)利用注入掩膜在场区进行硅离子注入；3)去除注入掩膜；4)热氧化获得场区氧化硅隔离层；5)通过选择腐蚀去除有源区表面氧化物，获得场区隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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