[发明专利]电阻型存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201110221864.2 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102254803A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王慰 | 申请（专利权）人： | 江苏畅微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨;刘春成 |
| 地址： | 215513 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻型存储器的制备方法，包括步骤：对下电极构图，对所述下电极进行氧离子注入，以使下电极形成氧化物存储介质层；对所述氧化物存储介质层进行退火处理；以及在所述氧化物存储介质层上构图并形成上电极。根据本发明所述的电阻型存储器的制备方法，存储介质层与下电极基体间不产生空洞，氧化物存储介质层均匀，O元素在氧化物存储介质层中的分布均匀。采用所述方法制备的电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器的制备方法，其特征在于，包括步骤：对下电极构图，对所述下电极进行氧离子注入，以使下电极形成氧化物存储介质层；对所述氧化物存储介质层进行退火处理；以及在所述氧化物存储介质层上构图并形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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