[发明专利]用于减少蚀刻残留物的结构有效
| 申请号： | 201110210784.7 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102479758A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 于宗源;陈宪伟;杨宗颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L27/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于减少蚀刻残留物的结构。该结构包括两个沟槽之间的相交区域的布局。首先，具有梯形转角的较大相交区域可以替换为将两个沟槽进行垂直相交。该布局减小了相交区域，并且降低了不完全蚀刻材料留在相交区域的可能性。该结构还包括一种可选方式，在相交区域中填充未蚀刻的较小梯形区域或者多个未蚀刻的方形区域，从而减小了相交点处的开口区域，从而降低了具有不完全蚀刻材料的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 蚀刻 残留物 结构 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：第一沟槽，被定向为具有第一方向上的第一轴；第二沟槽，被定向为具有第二方向上的第二轴，所述第二方向与所述第一方向形成锐角；第三沟槽，与所述第一沟槽和所述第二沟槽相连接，所述第三沟槽在垂直于所述第一方向的方向上延伸，并且与所述第二沟槽相交；以及填充元件，形成在由所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽形成的相交区域中。
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