[发明专利]用于形成栅沟槽结构的方法和用于制造沟槽MOSFET结构的方法无效
| 申请号： | 201110205778.2 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102347228A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·普泰尔 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成栅沟槽结构的方法和用于制造沟槽MOSFET结构的方法，尤其公开了一种半导体器件和制造该器件的方法。该半导体器件包括：衬底，在上部部分上具有沟槽；栅绝缘层，位于沟槽的侧壁和底部上；以及非晶硅或多晶硅材料的导电栅，位于栅氧化层上。可以已经通过微波活化的氮以及B和/或P掺杂剂掺杂非晶硅或多晶硅层。该器件可通过以下方法制造，即在半导体衬底的上表面中设置沟槽，在沟槽侧壁和底部上形成栅绝缘层，以及在栅绝缘层上沉积掺杂的非晶硅或多晶硅层，并且之后在低温下利用微波活化所沉积的非晶硅或多晶硅层。所形成的多晶硅或非晶硅层包含较少空隙，而该空隙由Si晶粒运动而产生。还公开了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 沟槽 结构 方法 制造 mosfet | ||
【主权项】：
一种用于形成栅沟槽结构的方法，包括：在半导体衬底的上表面中设置沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部上形成绝缘层；以及通过加热含Si气体、含N气体以及含B或P气体在所述绝缘层上沉积掺杂的导电Si层；以及在低温下使用微波活化所沉积的Si层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
