[发明专利]一种纳米结构三氧化钼的制备方法有效
| 申请号： | 201110204454.7 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102351249A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘仲武;钟明龙;邱万奇;钟喜春;余红雅;焦东玲;曾德长 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 宫爱鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单，成本低廉，制备温度低，适用于不同基片上大面积制备产率高，且制备过程中无需任何催化剂；制备的三氧化钼产物结晶性能良好，无任何杂相。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 氧化钼 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米结构三氧化钼的制备方法，具体步骤如下：(1)将基片进行清洗并烘干；(2)将钼蒸发源置于电热板加热区，将基片置于钼蒸发源正上方0.1～5.0mm，开启电热板升温至200～600℃，保温0.1～48h；(3)关闭电源，随电热板冷却至室温；取下基片，此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。
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