[发明专利]磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器有效
申请号: | 201110200577.3 | 申请日: | 2011-07-18 |
公开(公告)号: | CN102299256A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 南策文;胡嘉冕;李峥;舒立;林元华 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/15;H01L27/22 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种磁电随机存储单元,包括:底电极层;形成在底电极层之上的铁电氧化物层;形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层;形成在铁磁自由层之上的隔离层;和形成在隔离层之上的铁磁固定层,其中,铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构,铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场,其中电场的方向垂直于铁电氧化物层,铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据,具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。 | ||
搜索关键词: | 磁电 随机 存储 单元 具有 存储器 | ||
【主权项】:
一种磁电随机存储单元,其特征在于,包括:底电极层;形成在所述底电极层之上的铁电氧化物层;形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层;形成在所述铁磁自由层之上的隔离层;和形成在所述隔离层之上的铁磁固定层,其中,所述铁磁自由层、所述隔离层和所述铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构,所述铁磁自由层和所述底电极层分别作为所述铁电氧化物层的上下电极而对所述铁电氧化物层施加电场,其中所述电场的方向垂直于所述铁电氧化物层,所述铁电氧化物层在所述电场的作用下通过磁电耦合控制所述铁磁自由层中磁化方向转动以使得所述夹层结构的电阻变化。
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