[发明专利]涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质有效
申请号: | 201110197922.2 | 申请日: | 2011-07-11 |
公开(公告)号: | CN102315091A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 松冈伸明;宫田亮;林伸一;榎木田卓 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质,在单位块发生异常时,进行维修时,抑制涂敷显影装置的生产率降低并且抑制处理块的设置面积。构成涂敷显影装置,具备:层叠的前段处理用的单位块;在各个对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部;在各段的涂敷处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够自由升降的辅助移载机构;在上述前段处理用的单位块层叠的显影处理用的单位块。在各层之间交接基板,能够避免不可以使用的单位块搬送基板。此外,显影用的单位块和前段处理用的单位块层叠,抑制设置面积。 | ||
搜索关键词: | 显影 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种涂敷显影装置,将通过载体搬入到载体块的基板交接至处理块,该基板在该处理块中形成含有抗蚀剂膜的涂敷膜后,通过相对于所述处理块位于与载体块相反侧的接口块被搬送到曝光装置,对通过所述接口块返回的曝光后的基板在所述处理块中进行显影处理,并将其交接至所述载体块,该涂敷显影装置的特征在于,包括:a)所述处理块,所述处理块包括:上下层叠多个前段处理用的单位块而形成的部件,该前段处理用的单位块具备:用于在基板上形成下层侧的防反射膜而供给药液的下层用的液处理模块;用于在所述防反射膜上形成抗蚀剂膜而供给抗蚀剂液的涂敷模块;对基板进行加热的加热模块;和用于在这些模块之间搬送基板,在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构;多个后段处理用的单位块,其包括:在多个前段处理用的单位块的接口块侧与该前段处理用的单位块相邻地分别设置的、用于在形成有抗蚀剂膜的基板上形成上层侧膜而供给药液的上层用的液处理模块;对基板进行加热的加热模块;和用于在这些模块之间搬送基板,在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构;在前段处理用的单位块和对应的后段处理用的单位块之间分别设置的、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部;在各段的涂敷处理用的交接部之间和各段的显影处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够自由升降而设置的辅助移载机构;上下层叠多个显影处理用的单位块而形成的部件,该显影处理用的单位块具备:相对于上下层叠多个前段处理用的单位块而形成的部件,在上下方向层叠,向基板供给显影液的液处理模块;对基板进行加热的加热模块;和在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动的单位块用的搬送机构;具备在多个显影处理用的单位块的接口块侧与该显影处理用的单位块相邻地分别设置的、在从载体块侧向接口块侧延伸的直线搬送路径上移动、用于搬送基板的单位块用的搬送机构的辅助用的单位块;和设置在显影处理用的单位块和对应的辅助用的单位块之间,用于在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接的显影处理用的交接部,b)按照各单位块设置在载体块侧,在各单位块的搬送机构之间进行基板的交接的搬入搬出用的交接部,c)用于从载体将基板分配并交接至对应于前段处理用的各单位块的所述搬入搬出用的交接部,并且从对应于显影处理用的各单位块的搬入搬出用的交接部使基板返回载体的第一交接机构,和d)用于接收在所述处理块处理后的曝光前的基板,将曝光后的基板分配并交接至显影处理用的单位块的第二交接机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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