[发明专利]一种硅酸铋纳米粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110186913.3 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102275942A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 王秀峰;许亚琴;江红涛;鲁俊雀 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01B33/20 分类号: C01B33/20
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 刘国智
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及闪烁晶体材料的制备,公开了一种硅酸铋纳米粉体的制备方法,首先,将Bi(NO)3·5H2O溶解于冰乙酸中制得含铋溶液,再按摩尔比Bi∶Si=1∶2~4的比例将正硅酸乙酯滴加到所述含铋溶液中,后放入超声仪器中超声清洗,利用分析纯乙二醇甲醚调节粘度,形成均匀的溶胶;然后将得到的溶胶进行干燥,得到干燥的前驱体粉末;最后对所述前驱体粉末550~700℃温度下烧结,即得硅酸铋Bi2SiO5粉体,本发明可以简单快速制备出Bi2SiO5,且产物纯度高,成本低,便于大规模生产。
搜索关键词: 一种 硅酸 纳米 制备 方法
【主权项】:
一种硅酸铋纳米粉体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,将0.01~0.4mol的Bi(NO)3·5H2O溶解于15~120mL的冰乙酸中制得含铋溶液;第二步,按摩尔比Bi∶Si=1∶2~4的比例将正硅酸乙酯滴加到所述含铋溶液中,后放入超声仪器中于10~40℃下超声清洗1~6h,利用0.01~10mL的分析纯乙二醇甲醚调节粘度,形成均匀的溶胶;第三步,得到的溶胶进行干燥,干燥温度控制在90~150℃,干燥时间为9~15h,得到干燥的前驱体粉末;第四步,对所述前驱体粉末进行烧结,烧结温度为550~700℃,烧结时间为0.5~4h,即得硅酸铋Bi2SiO5粉体。
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