[发明专利]半导体受光元件

摘要

本发明涉及一种能够降低响应失真并且抑制受光灵敏性的降低的半导体受光元件。在n型InP衬底（10）上依次层叠有n型的光吸收复合层（12）、n型的多层反射膜（14）、光吸收层（16）以及窗层（18）。在窗层（18）的一部分上形成有p型掺杂区域（20）。p侧电极（22）与p型掺杂区域（20）连接。n侧电极（26）与n型InP型衬底（10）的下表面连接。窗层（18）的带隙能量比光吸收层（16）的带隙能量大。光吸收复合层（12）的带隙能量比n型InP衬底（10）的带隙能量小。

主权项

一种半导体受光元件，其特征在于，具有：第一导电型的半导体衬底；依次层叠在所述半导体衬底上的掺杂有杂质的第一导电型的光吸收复合层、第一导电型的多层反射膜、光吸收层以及窗层；第二导电型的掺杂区域，形成在所述窗层的一部分上；第一电极，与所述掺杂区域连接；以及第二电极，与所述半导体衬底的下表面连接，所述窗层的带隙能量比所述光吸收层的带隙能量大，所述光吸收复合层的带隙能量比所述半导体衬底的带隙能量小。