[发明专利]一种去除NiPt金属硅化物的方法有效
| 申请号： | 201110138148.8 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102420132A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 徐友峰;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一般涉及一种湿法蚀刻领域，更确切的说，本发明涉及一种去除NiPt金属硅化物的方法。本发明通过采用HNO3，HCl和HF的混合试剂去除快速热退火制程中使用过的晶片上的NiPt金属硅化物层及多晶硅薄膜，经RCA清洗后，晶片可以重新淀积薄膜进行重复利用，能有效的节约成本和资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 nipt 金属硅 方法 | ||
【主权项】：
一种去除NiPt金属硅化物的方法，包括一在快速热退火制程中使用过的晶片，其特征在于，还包括以下步骤：在一定温度的条件下，采用第一类清洗液（SC‑1）洗去所述晶片晶面顶部的TiN膜；采用HNO3，HCl和HF的混合酸溶液依次去除所述晶片晶面上的NiPt 金属硅化物层、晶面多晶硅薄膜及晶背多晶硅薄膜；以及采用浓度为49% 的HF溶液去除晶面SiO2薄膜和晶背SiO2薄膜；最后清洗所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
