[发明专利]埋置有源元件的基板及埋置方法有效
| 申请号： | 201110135359.6 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102800598A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张霞;万里兮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H05K1/18;H05K3/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在基板中埋置有源元件的方法。该方法包括：在第一承载板的导电层上形成第一内层电路图形；将有源元件连接至第一承载板上的第一内层电路图形；在介质板上有源元件的对应位置加工空穴，空穴的长度和宽度均等于或大于有源元件的长度和宽度；将第二承载板、带有空穴的介质板和带有有源元件的第一承载板依次对准堆叠，形成有源元件埋入模块，第一承载板上的有源元件位于有源元件埋入模块的内部，置入介质板上的空穴；将有源元件埋入模块进行热压，形成埋置有源元件的基板，热压的温度大于等于介质板的玻璃转化温度。本发明具有工艺步骤简单、生产率高、成本低以及可进行返修等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板中埋置有源元件的方法，其特征在于，该方法包括：在第一承载板的导电层上形成第一内层电路图形；将有源元件连接至第一承载板上的所述第一内层电路图形；在介质板上所述有源元件的对应位置加工空穴，所述空穴的长度和宽度均等于或大于所述有源元件的长度和宽度；将第二承载板、带有所述空穴的介质板和带有有源元件的第一承载板依次对准堆叠，形成有源元件埋入模块，所述第一承载板上的有源元件位于所述有源元件埋入模块的内部，置入介质板上的所述空穴；将所述有源元件埋入模块进行热压，形成埋置有源元件的基板，所述热压的温度大于等于所述介质板的玻璃转化温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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