[发明专利]蓝宝石晶体的生长方法及蓝宝石晶体生长用的长晶炉结构无效

专利信息
申请号: 201110133672.6 申请日: 2011-05-23
公开(公告)号: CN102212871A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 谢旭明;张新忠;曹俊辉 申请(专利权)人: 无锡斯达新能源科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/20
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214187 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种蓝宝石晶体的生长方法及蓝宝石晶体生长有的长晶炉结构,其包括如下步骤:a、将40%~60%的氧化铝晶体、20%~30%的氧化铝晶块及10%~30%的氧化铝晶粒按照重量百分比均匀混合后放入坩埚中;b、将具有氧化铝晶体的坩埚放入长晶炉中并抽真空,将长晶炉的温度加热至2200℃;c、坩埚中的氧化铝晶体加热至熔融状态时,使坩埚的温度降至2150℃~2200℃间;并当坩埚中出现固-液界面时,开始引晶;d、使坩埚的温度降至1900℃~2100℃,以便长晶;e、对长晶炉保温;f、对长晶炉进行退火,使长晶炉内的温度由2000℃逐渐降至1000℃;g、长晶炉的温度逐渐降至常温;h、对长晶炉内以氩气破真空,开启长晶炉并取出蓝宝石晶体。本发明其工艺步骤简单,加工方便,节能环保,适用性好,安全可靠。
搜索关键词: 蓝宝石 晶体 生长 方法 晶体生长 长晶炉 结构
【主权项】:
一种蓝宝石晶体的生长方法,其特征是,所述生长方法包括如下步骤:(a)、提供氧化铝晶体材料,所述氧化铝晶体材料包括氧化铝晶体、氧化铝晶块及氧化铝晶粒,将40%~60%的氧化铝晶体、20%~30%的氧化铝晶块及10%~30%的氧化铝晶粒按照重量百分比均匀混合后放入坩埚中;(b)、将放置氧化铝晶体材料的坩埚放入长晶炉中并抽真空,将长晶炉的温度加热至2200℃,对坩埚中的氧化铝晶体材料化料;(c)、坩埚中的氧化铝晶体加热至熔融状态时,对长晶炉进行降温,使坩埚的温度降至2150℃~2200℃间;并当坩埚中出现固‑液界面时,开始对坩埚中的氧化铝晶体引晶;(d)、坩埚中的氧化铝晶体引晶完成后,对长晶炉进行降温,使坩埚的温度降至1900℃~2100℃,以便在坩埚中长晶;(e)、待坩埚中长晶工序完成后对长晶炉保温;(f)、对长晶炉进行退火,使长晶炉内的温度由2000℃逐渐降至1000℃;(h)、对长晶炉进行退火工序完成后,使长晶炉的温度逐渐降至常温;(i)、当长晶炉内降至常温后,对长晶炉内以氩气破真空,开启长晶炉并取出蓝宝石晶体。
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