[发明专利]一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110110367.5 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412125A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/318;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法，先在硅基板上沉积一层第一氮化硅薄膜层，利用等离子体对第一氮化硅薄膜进行处理；在第一氮化硅薄膜层之上沉积一层第二氮化硅薄膜层，并再次用等离子体对第二氮化硅薄膜进行处理；对多层氮化硅薄膜层进行紫外光照射。本发明提供制造方法可以在较低的制造成本下制造出应力最少为1.8GPa的氮化硅薄膜，将应用NMOS器件上将极大的增加的电迁移率且生产工艺也相当简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 应力 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种如权利要求1所述的制造高拉应力氮化硅薄膜的方法，其特征在于：其特征在于包括以下顺序步骤：步骤1，先在硅基板上沉积一层第一氮化硅薄膜层，利用等离子体对第一氮化硅薄膜进行处理；步骤2，在第一氮化硅薄膜层之上沉积第二氮化硅薄膜，并利用等离子体处理该第二氮化硅薄膜层；步骤3，重复步骤1和2，直至自下而上的多层氮化硅薄膜层的总厚度达到工艺所需要求；步骤4，对所述多层氮化硅薄膜层进行紫外光照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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