[发明专利]在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法

摘要

本发明属于电子电路领域，涉及在含有疏水性的硅柱的硅片表面上形成大面积定向排列的纳米导线，从而构筑微电极对阵列的方法。本发明采用了在含有亲水性的硅柱阵列的硅片表面上接枝氟硅烷的方法，使得亲水性的硅柱阵列的表面与水的接触角由10°增大到150°以上，得到含有疏水性的硅柱阵列的硅片。驱使含有形成纳米导线的物质的水溶液匀速流经所述疏水性的硅柱阵列的表面，即可大面积、快速地在构成疏水性的硅柱阵列中的相邻的两个硅柱的顶端上形成定向排列的直径为纳米级的纳米导线，并由该纳米导线连接该两个硅柱，从而形成微电极对；多个所述微电极对构成所述的微电极对阵列。本发明可以调节所述纳米导线的粗细、长短、空间排列方式。

主权项

一种在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法，其特征是，该方法包括以下步骤：(1)将表面含有亲水性的硅柱阵列的硅片浸泡到含有氟硅烷的有机溶剂中，或将表面含有亲水性的硅柱阵列的硅片放入到氟硅烷蒸汽的环境中，或将氟硅烷溶液直接滴加到表面含有亲水性的硅柱阵列的硅片表面；使所述的硅片与氟硅烷分子进行接枝反应，将氟硅烷分子修饰到所述的硅片表面，得到含有疏水性的硅柱阵列的硅片；(2)驱使含有形成纳米导线的物质的水溶液匀速定向的流经步骤(1)得到的硅片上的疏水性的硅柱阵列的顶端表面，在构成所述疏水性的硅柱阵列中的相邻的两个硅柱的顶端上形成定向排列的直径为纳米级的纳米导线，形成由所述纳米导线连接该两个硅柱构成的微电极对；多个所述的微电极对构成所述的微电极对阵列；所述的形成纳米导线的物质是不导电的物质与金属粒子的掺杂物、半导体的物质或导电的物质。