[发明专利]发光二极管结构及其光度控制方法无效
| 申请号： | 201110035114.6 | 申请日： | 2011-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637797A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李明顺;许智源 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶;周春发 |
| 地址： | 523596 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明发光二极管结构及其光度控制方法，主要在一具有半导体磊晶层的发光二极管最上方第二型批覆层表面，利用蒸镀技术建构一预定厚度的金属薄膜之后，再完成后续的电极加工及切割制程。而可利用金属薄膜对其以下的第二型批覆层及活性发光层产生一定程度的遮蔽作用，达到控制发光二极管亮度的目的，进而得以增加其应用的领域，以及可利用金属薄膜的导电性，提升发光二极管的运作效能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 及其 光度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的光度控制方法，其特征在于，包括有下列步骤：a.提供一具有半导体磊晶层的发光二极管；b.利用蒸镀技术于该发光二极管最上方第二型批覆层表面，利用蒸镀技术建构一预定厚度的金属薄膜；c.完成后续的电极加工；d.对该发光二极管进行切割，始获致完整的发光二极管晶粒。
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