[发明专利]一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法无效
申请号: | 201110028237.7 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102157614A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 姚文杰;曾湘波;彭文博;刘石勇;谢小兵;王超;杨萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法,该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现,是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明,能减少叠层电池隧穿复合结处的损失,实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和,说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点,便于应用到产业化工艺中。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 非晶硅 微晶硅叠层 太阳电池 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法,其特征在于,该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现,是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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