[发明专利]硅化合物膜的干式刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110001999.8 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102129984A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 登坂久雄 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王灵菇;白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其通过使用了至少含有COF2的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅化合物膜的干式刻蚀方法，其特征在于，通过使用了至少含有COF2的刻蚀气体的平行平板型的干式刻蚀来对硅化合物膜进行干式刻蚀，所述硅化合物膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜形成于非晶硅膜上，在制造反向交错型沟道保护膜型的薄膜晶体管时，所述非晶硅为本征非晶硅膜，在该本征非晶硅膜上对所述氮化硅膜进行干式刻蚀，形成沟道保护膜图案，所述刻蚀气体为含有COF2气体和氧气的混合气体，且氧气相对于COF2气体的流量比为0.5～4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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