[发明专利]垂直耦合表面蚀刻光栅分布反馈激光器无效
| 申请号： | 201080070812.3 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103460527A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·沃特森;基里尔·皮梅诺夫;瓦莱丽·托斯汀基;吴芳;尤芮·隆戈维 | 申请（专利权）人： | 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器，用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构，从上发射层顶面通过有源，假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置，台面设在下发射层，上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间，穿过上发射层，向下蚀刻入SCH层，限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束，台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 耦合 表面 蚀刻 光栅 分布 反馈 激光器 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：在半导体结构内形成的台面，其中半导体结构以支持基本光模的一个生长过程生长在半导体衬底上，包括多个半导体层，在多个半导体层构成的第一预定层内形成的底切和垂直耦合至基本光模的表面蚀刻光栅，其中，所述底切与台面可限制基本光模和电流注入到台面。
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