[发明专利]一种用于生产用于医疗领域中的放射性同位素的设备有效
申请号: | 201080061626.3 | 申请日: | 2010-11-12 |
公开(公告)号: | CN102893339B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 弗兰西斯·宇-海·特桑 | 申请(专利权)人: | 全球医疗同位素系统有限责任公司 |
主分类号: | G21G1/06 | 分类号: | G21G1/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 苗征;于辉 |
地址: | 美国内*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于放射性同位素生产的系统利用辐照室中贫化的或天然存在的铀靶的快中子引起的裂变。快中子裂变可以通过如下来增强:使得碰到靶的中子经历散射或反射,以增大每一个中子引起U‑238中的裂变(n,f)反应的几率。U‑238可以被布置为夹在中子反射材料层之间的层,或被中子反射材料包围的棒。可能的放射性同位素包括Mo 99/Te 99m,I‑131,I‑132和I‑133。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 医疗 领域 中的 放射性同位素 设备 | ||
【主权项】:
一种用于生产用于医疗领域中的放射性同位素的设备,包括:用以产生快中子的紧凑单独的中子发生器,所述快中子的能量高于0.8MeV;辐照室,其具有NEU可被引入其中的多个区域;以及多个中子反射区域,其由中子反射材料形成并布置在所述辐照室中,其中,所述NEU可被引入其中的多个区域和所述多个中子反射区域交替布置,所述多个中子反射区域被构成来增大来自所述中子发生器的至少一些中子在离开所述辐照室之前所行进的路径长度,和其中,所述中子发生器布置在所述辐照室的中心。
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