[发明专利]含有甲硅烷基荧蒽衍生物的OLED器件无效
申请号: | 201080014500.0 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN102369102A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | W·J·贝格里;D·J·杰森 | 申请(专利权)人: | 全球OLED科技有限责任公司 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 美国弗*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种OLED器件,其包含阴极、阳极并在二者之间具有发光层,在阴极和发光层之间还包含:a)第一层,所述第一层含有甲硅烷基荧蒽化合物,所述甲硅烷基荧蒽化合物包含8位或9位键合有硅原子的荧蒽核,并且该硅原子还键合到三个独立选择的取代基;和b)第二层,所述第二层位于第一层和阴极之间并邻接第一层,其中:i)第二层含有碱金属,或有机碱金属化合物;或ii)第二层含有吖嗪化合物。本发明的实施方式可提供一种具有提高的亮度和降低的驱动电压的OLED器件。 | ||
搜索关键词: | 含有 硅烷 基荧蒽 衍生物 oled 器件 | ||
【主权项】:
一种OLED器件,所述OLED器件包含阴极、阳极并在二者之间具有发光层,并且还包含:a)第一层,所述第一层在所述发光层与所述阴极之间,其中,所述第一层包含甲硅烷基荧蒽化合物,所述化合物包含8位或9位键合有硅原子的荧蒽核,并且所述硅原子还键合到三个独立选择的取代基;和b)第二层,所述第二层位于所述第一层与所述阴极之间并邻接所述第一层,其中,所述第二层含有碱金属,或有机碱金属化合物。
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