[发明专利]太阳能电池的制造方法和太阳能电池无效
| 申请号： | 201080011200.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102349166A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 高滨豪;小野雅义;森博幸;村上洋平 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池(100)的制造方法，包括：将抗蚀剂膜(50)除去并将n型非晶质半导体层(12n)的一部分除去的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序A；从所述一个主面的所述第二区域上跨过所述第一半导体层上方，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序B；在所述第二半导体层上形成电极层的工序C；在所述电极层中的与所述第一区域和所述第二区域对应的区域上施加保护膜的工序D；将所述电极层中的从所述保护膜露出的部分除去的工序E；和将所述保护膜除去的工序F，其中在所述工序F中，将所述第二半导体层中的从所述掩模露出的部分的至少一部分与所述保护膜一并除去。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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