[发明专利]太阳能电池的制造方法和太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及背面结型的太阳能电池的制造方法和太阳能电池。

背景技术

太阳能电池由于能够将干净且无穷尽地供给的太阳光直接转换为电，所以作为新能源被期待。

目前，提案有在n型半导体基板的背面上具有多个p侧电极和多个n侧电极的所谓背面结(接合)型的太阳能电池(例如参照专利文献1)。

具体而言，专利文献1中记载的太阳能电池包括：覆盖n型半导体基板的背面的i型半导体层；在i型半导体层上沿着规定的方向形成的多个p型半导体层；和覆盖i型半导体层和多个p型半导体层的n型半导体层。各p侧电极隔着n型半导体层，形成在各p型半导体层上。各n侧电极形成于两个p侧电极之间。

根据这样的结构，由于在形成n型半导体层的工序中，不需要用掩模来覆盖p型半导体层，所以能够实现太阳能电池的制作工序的简化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-101151号公报([0039]段落、图2)

发明内容

然而，在专利文献1记载的结构中，n侧电极和p侧电极相互形成在n型半导体层上。因此，具有容易在n侧电极和p侧电极之间产生漏电流，太阳能电池特性降低的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于：提供能够提高太阳能电池特性的背面结型的太阳能电池的制造方法和太阳能电池。

本发明的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的一个主面的第一区域上，形成具有第一导电型的第一半导体层的工序A；从上述一个主面的上述第二区域上跨过上述第一半导体层上方，形成具有第二导电型的第二半导体层的工序B；在上述第二半导体层上形成电极层的工序C；在上述电极层中的与上述第一区域和上述第二区域对应的区域上施加保护膜的工序D；将上述电极层中的从上述保护膜露出的部分除去的工序E；和将上述保护膜除去的工序F，其中，在上述工序F中，将上述第二半导体层中的从上述掩模露出的部分的至少一部分与上述保护膜一并除去。

根据本发明的太阳能电池的制造方法，能够使第二半导体层的厚度在电极层之间变小。因此，不利用掩模等对第二半导体层进行图案化，就能抑制电极层之间的漏电流。其结果是，能够提高太阳能电池的特性。

本发明的太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基板；在半导体基板的一个主面上的第一区域上形成、并具有第一导电型的第一半导体层；在半导体基板的一个主面上的第二区域上形成、并具有第二导电型的第二半导体层；在第一区域上形成在第一半导体层上的第一电极；和在第二区域上形成在第二半导体层上的第二电极，第二半导体层从第二区域上跨过第一半导体层上方地形成，第二半导体层，在从第一电极和第二电极露出的部分，具有与第二半导体层中的被第一电极和第二电极覆盖的部分相比厚度小的部分。

在本发明的太阳能电池中，第二半导体层的导电型也可以是n型。

在本发明的太阳能电池中，半导体基板也可以是结晶硅基板。

在本发明的太阳能电池中，半导体基板也可以具有p型导电型。

在本发明的太阳能电池中，第一半导体层和第二半导体层也可以由非晶质半导体构成。

根据本发明，能够提供一种能够提高太阳能电池特性的背面结型的太阳能电池的制造方法和太阳能电池。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的太阳能电池100的背面侧的俯视图。

图2是图1的A-A线的放大截面图。

图3是用于说明本发明的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的图。

图4是用于说明本发明的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的图。

图5是用于说明本发明的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的图。

图6是用于说明本发明的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的图。

图7是用于说明本发明的第一实施方式的太阳能电池10的制造方法的图。

图8是本发明的第二实施方式的太阳能电池100的背面侧的俯视图。

图9是图8的B-B线的放大截面图。

图10是表示本发明的实施方式的太阳能电池100的结构的截面图。

具体实施方式

接着，使用附图，对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，对相同或类似的部分附加相同或类似的标记。其中，应注意：图面是示意性的，各尺寸的比率等与现实的不同。因此，应参照以下的说明来判断具体的尺寸等。另外，即使在附图相互之间包含有相互的尺寸的关系和比率不同的部分也是不言而喻的。