[发明专利]高纯度铒的制造方法、高纯度铒、包含高纯度铒的溅射靶以及以高纯度铒为主要成分的金属栅膜有效
| 申请号： | 201080006117.0 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102301018A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;八木和人 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B9/02;C22B9/04;C22B9/14;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铒的制造方法，其特征在于，将粗氧化铒与还原金属混合后，在真空中加热，将铒还原并蒸馏，再将其在惰性气氛中熔融从而得到高纯度的铒；以及一种高纯度铒，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，氧含量为200重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够有效且稳定地提供蒸气压高、在金属熔融状态下难以纯化的铒的高纯度化方法及由此得到的高纯度铒、以及包含高纯度材料铒的溅射靶及以高纯度材料铒为主要成分的金属栅用薄膜的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 包含 溅射 以及 主要成分 金属 | ||
【主权项】：
一种高纯度铒的制造方法，其特征在于，将氧化铒与还原金属混合后，在真空中加热，还原为金属铒的同时进行蒸馏，再将蒸馏物在惰性气氛中熔融，得到高纯度的铒。
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