[实用新型]高温碳化硅单晶生长炉的加热温控装置有效

专利信息
申请号: 201020531080.0 申请日: 2010-09-16
公开(公告)号: CN201924102U 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 王香泉;郝建民;王利杰;孟大磊;郭俊敏;洪颖 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: C30B23/06 分类号: C30B23/06;C30B29/36
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 梁军
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型公开了一种高温碳化硅单晶生长炉的加热温控装置。该装置包括:感应线圈,用于接收无线射频发生器发射的中频交变电流,并对密闭坩埚内的生长系统进行加热;感应线圈移动系统,连接至感应线圈,用于对感应线圈进行定位、和/或定速控制;可编程逻辑控制器,连接至感应线圈移动系统,用于根据预先设置的控制程序控制感应线圈移动系统;温度检测装置,用于检测生长系统的温度;欧陆表,连接至温度检测装置,用于控制生长系统的温度;终端计算机,连接至可编程逻辑控制器以及欧陆表,用于对可编程逻辑控制器以及欧陆表进行控制。借助于本实用新型的技术方案,能够对生长系统的温度进行精确控制。
搜索关键词: 高温 碳化硅 生长 加热 温控 装置
【主权项】:
一种高温碳化硅单晶生长炉的加热温控装置,其特征在于,包括:感应线圈,用于接收无线射频发生器发射的中频交变电流,并对密闭坩埚内的生长系统进行加热;感应线圈移动系统,连接至所述感应线圈,用于对所述感应线圈进行定位、和/或定速控制;可编程逻辑控制器,连接至所述感应线圈移动系统,用于根据预先设置的控制程序控制所述感应线圈移动系统;温度检测装置,用于检测所述生长系统的温度;欧陆表,连接至所述温度检测装置,用于控制所述生长系统的温度;终端计算机,连接至所述可编程逻辑控制器以及所述欧陆表,用于对所述所述可编程逻辑控制器以及所述欧陆表进行控制。
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