[实用新型]防腐蚀多晶硅还原炉无效
| 申请号： | 201020236510.6 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN201746332U | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 周大荣 | 申请（专利权）人： | 无锡中彩科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214183 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种防腐蚀多晶硅还原炉，包括设置在底座上的还原炉壳体，所述还原炉壳体包括外壳体和内壳体，外壳体和内壳体之间存在空隙；在外壳体的顶部设有冷却水出口，外壳体的下端设有冷却水进口；在还原炉壳体的底部设有进气管和出气管；特征是：在所述内壳体的内表面均匀涂覆有碳化硅涂层。本实用新型通过在多晶硅还原炉内壁附着结合牢固、均匀致密的碳化硅(SiC)层，达到降低多晶硅还原炉内壁的腐蚀，并提高多晶硅产品的质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 多晶 还原 | ||
【主权项】：
一种防腐蚀多晶硅还原炉，包括设置在底座(2)上的还原炉壳体(1)，所述还原炉壳体(1)包括外壳体和内壳体，外壳体和内壳体之间存在空隙；在外壳体的顶部设有冷却水出口(6)，外壳体的下端设有冷却水进口(5)；在还原炉壳体(1)的底部设有进气管(3)和出气管(4)；其特征是：在所述内壳体的内表面均匀涂覆有碳化硅涂层(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中彩科技有限公司，未经无锡中彩科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020236510.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压力储水桶
- 下一篇：用于碳化硅颗粒物料制备的环保型干法连续生产线
