[实用新型]防腐蚀多晶硅还原炉无效
申请号: | 201020236510.6 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN201746332U | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 周大荣 | 申请(专利权)人: | 无锡中彩科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214183 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 腐蚀 多晶 还原 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种防腐蚀多晶硅还原炉,尤其是一种用于三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
背景技术
多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备,炉体主体采用不锈钢材,不锈钢材质可以有效的减少设备材质对产品的污染,但在生产多晶硅时,氯硅烷以及还原炉内的高温对炉壁的腐蚀十分严重,极大降低了设备的运行寿命。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种防腐蚀多晶硅还原炉,可以有效地降低多晶硅还原炉内壁的腐蚀。
按照本实用新型提供的技术方案,所述防腐蚀多晶硅还原炉,包括设置在底座上的还原炉壳体,所述还原炉壳体包括外壳体和内壳体,外壳体和内壳体之间存在空隙;在外壳体的顶部设有冷却水出口,外壳体的下端设有冷却水进口;在还原炉壳体的底部设有进气管和出气管;特征是:在所述内壳体的内表面均匀涂覆有碳化硅涂层。
本实用新型通过在多晶硅还原炉内壁附着结合牢固、均匀致密的碳化硅(SiC)层,达到降低多晶硅还原炉内壁的腐蚀,并提高多晶硅产品的质量的目的,同时延长了设备的运行寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示:还原炉包括还原炉壳体1、底座2、进气管3、出气管4、冷却水进口5、冷却水出口6、碳化硅涂层7等。
本实用新型包括设置在底座2上的还原炉壳体1,所述还原炉壳体1包括外壳体和内壳体,内壳体内部形成还原炉的内腔,外壳体和内壳体之间存在空隙;在外壳体的顶部设有冷却水出口6,外壳体的下端设有冷却水进口5;在还原炉壳体1的底部设有进气管3和出气管4;在内壳体的内表面均匀涂覆有碳化硅涂层7。
本实用新型通过在多晶硅还原炉壳体1的内壳体的内壁附着结合牢固、均匀致密碳化硅涂层7,达到降低多晶硅还原炉内壁的腐蚀,并提高多晶硅产品的质量的目的。碳化硅是一种共价键化合物,具有类金刚石的四面体结构,化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,在多晶硅还原炉内附着结合牢固、均匀致密碳化硅涂层7,可以极大的减小还原炉内壁的腐蚀,提高设备的运行寿命,并且由于碳化硅的高稳定性,可以减少设备材质对产品质量的影响。
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