[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201010623254.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102479825A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈建勋;陈毓儒 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：硅基材，在硅基材的表面形成金字塔结构。对金字塔结构进行激光处理，使金字塔结构的顶端呈现圆弧状，金字塔结构的棱线处形成外圆角；以及第一半导体层，设置于硅基材的第一面上，其中第一半导体层的导电型态与硅基材相反。本发明在硅基材的表面形成金字塔结构，对金字塔结构进行激光处理，使金字塔结构的顶端呈现圆弧状，金字塔结构的棱线处形成外圆角，因此后续所镀制的薄膜都具有均匀厚度，而可以提升太阳能电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包括：一硅基材，该硅基材的一第一面呈现一金字塔结构，且该金字塔结构的顶端呈现圆弧状，该金字塔结构的棱线处形成外圆角；以及一第一半导体层，设置于该硅基材的该第一面上，其中该第一半导体层的导电型态与该硅基材相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010623254.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
