[发明专利]一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器无效
| 申请号： | 201010622690.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102035534A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 时龙兴;柏娜;黄凯;蔡志匡;余群龄 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器，将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH，采用电容型逻辑电平转换。本发明可以有效的工作在亚阈值区域，电容型逻辑电平转换器具有较低的静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 区域 静态 功耗 电容 逻辑 电平 转换器 | ||
【主权项】：
一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器，将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH，其特征在于：设有一个NMOS管MN1，一个电容CL，两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器，其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接，栅极、漏极和体端连接在一起后，与PMOS管MP2的栅极相连；电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间；PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连，漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连，NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连，源极和体端接GND；反相器的电源电压接高电压域电平VddH，地线接GND，反相器的输出端为转换器的输出端Vout。
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