[发明专利]改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法无效
| 申请号： | 201010607413.8 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102130229A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;张兴旺;尹志岗;董敬敬;游经碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能，具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住，露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T，射频功率为WH，处理时间为tH。利用本发明，改善了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 zno aln gan 结发 二极管 电致发光 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善n‑ZnO/AlN/p‑GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，其特征在于，该方法是采用对n‑ZnO/AlN/p‑GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式，来改善n‑ZnO/AlN/p‑GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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