[发明专利]相变存储器的加热层制备方法有效
| 申请号： | 201010594920.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102544356A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种半导体制备技术领域的相变存储器的加热层制备方法，包括：在下电极上形成加热层，形成加热层采用选择性外延方法，选择型外延的反应气体包括：si原子和加热用粒子。进一步地，所述加热层的厚度范围为 |
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| 搜索关键词： | 相变 存储器 加热 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的加热层制备方法，其特征在于，在下电极上形成加热层，形成加热层采用选择性外延方法，选择型外延的反应气体包括：Si原子和加热用粒子。
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