[发明专利]相变存储器的加热层制备方法

权利要求书

1.一种相变存储器的加热层制备方法，其特征在于，在下电极上形成加热层，形成加热层采用选择性外延方法，选择型外延的反应气体包括：Si原子和加热用粒子。

2.根据权利要求1所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述加热层的厚度范围为电阻率范围为10^-5～10²Ω·cm的。

3.根据权利要求1或2所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述加热用粒子包括：Ge离子、Ta离子、W离子、Sb离子或C原子中的一种。

4.根据权利要求1所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，形成所述加热层还包括：所述选择性外延的反应气体还包括硼离子。

5.根据权利要求1所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述外延方法包括：分子束外延、超高真空化学气相沉积、低压化学气相沉积和减压化学气相沉积中的任一种。

6.根据权利要求5所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，采用减压化学气相沉积形成加热层，且所述加热用粒子为Ge离子时，包括：

对半成品样片进行清洗，去除所述半成品样片上的杂质，得到干净的半成品样片，所述半成品样片包括：P型衬底；N+区域，位于所述P型衬底上；绝缘介质层，位于所述N+区域的两端；PN二极管结构的下电极，位于所述绝缘介质层之间的N+区域上；

将所述干净的半成品样片放入减压化学气相沉积反应腔体内，对所述减压化学气相沉积反应腔体进行加热和减压且同时向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气，使所述减压化学气相沉积反应腔体达到第一温度和第一压强；

继续对所述减压化学气相沉积反应腔体进行加热和减压且继续向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气，保持所述减压化学气相沉积反应腔体处于第一温度和第二压强的条件，且同时向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气、硅基气体、锗基气体和选择性气体，第二压强小于第一压强；

当外延生长的加热层的厚度达到第一厚度时，停止向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入硅基气体、锗基气体和选择性气体且同时停止对所述减压化学气相沉积反应腔体的加热和减压，使所述减压化学气相沉积反应腔体冷却；

从所述减压化学气相沉积反应腔体内取出包括加热层的半成品样片，完成相变存储器加热层的制备。

7.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述氢气的流量始终控制在0.1slm至100slm。

8.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述第一温度的范围包括：550℃～1100℃。

9.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述第一压强的范围包括：5～700托。

10.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述第二压强的范围包括：1～20托。

11.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述硅基气体包括：SiH₄、SiH₂Cl₂和Si₂H₆中的一种或几种，且硅基气体的流量范围包括：1sccm至1000sccm。

12.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述锗基气体包括：GeH₄，且所述锗基气体的流量范围包括：1sccm至1000sccm。

13.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述选择性气体包括：HCl，且所述选择性气体的流量范围包括：1sccm至1000sccm。

14.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，所述第一厚度的取值范围包括：至

15.根据权利要求6所述的相变存储器的加热层制备方法，其特征是，还包括：在向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入氢气、硅基气体、锗基气体和选择性气体的同时，还向所述减压化学气相沉积反应腔体内充入硼基气体。