[发明专利]一种Ф8英寸<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统有效
| 申请号： | 201010585215.6 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102002753A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张雪囡;高树良;徐强;李建弘;许海波;李翔;汪雨田;沈浩平 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 天津市南开区新技*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ф8"<110>直拉硅单晶的制造方法及其热系统，通过增加热系统的下保温筒和地盘保温层的厚度，同时减少了上保温筒的厚度，控制硅熔体液面下和液面上的温度，从而提高纵向温度梯度，所述方法包括控制Ar气流量、扩肩速度、保持速度的步骤，适合直径8英寸及以上单晶的制备，获得的Ф8"<110>单晶结构良好、位错密度低于100个/cm2，断苞率≤5%；本方法简便，可靠，提高了生产效率和产品质量，具有推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 110 直拉硅单晶 制造 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种用于Ф8"<110>直拉硅单晶的制造方法，其特征在于：通过增加热系统的下保温筒和地盘保温层的厚度，同时减少了上保温筒的厚度，控制硅熔体液面下和液面上的温度，从而提高纵向温度梯度，所述方法还包括如下次序步骤：（1）硅单晶生长过程的Ar气流量：100‑150slpm；（2）扩肩：扩肩时恒温缓慢扩肩，扩肩速度：0.1‑0.2mm/min；（3）保持：保持速度0.7‑0.8mm/min。
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