[发明专利]单晶硅炉水垢的清洗方法

摘要

本发明提供一种单晶硅炉水垢的清洗方法，主要解决了现有清洗方法不能彻底清洗单晶硅炉炉内所形成的水垢，或清洗时可能造成单晶硅炉内中其他材质损坏的问题。该单晶硅炉水垢的清洗方法是：1)先将一定量的水放入带有超声波振荡和加热装置的储液箱，将水加热至10～60℃；2)将酸液分别缓缓加入储液箱，开启超声波进行搅拌；3)通过清洗液的高速冲刷和反应来清洗水垢等步骤处理，完全清洗掉水垢。

主权项

一种单晶硅炉水垢的清洗方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：1]先将一定量的水放入带有超声波振荡和加热装置的储液箱，将水加热至10～60℃；2]将缓蚀剂缓缓加入储液箱，开启超声波进行搅拌，使其与步骤1]中加入的水完全溶解，再将氨基磺酸和冰乙酸缓缓加入充分溶解，测试溶液的PH值；所述氨基磺酸、冰乙酸、缓蚀剂和水依据质量百分比计应包括：氨基磺酸3.0‑8.0，冰乙酸2.0‑5.0，缓蚀剂0.2‑0.5，水87.0‑94.0；3]将进液管、出液管分别接至单晶炉循环水路的进口和出口处，开启耐酸循环泵，该泵采用离心泵，整个循环水路的压力为0.5‑3kg/cm2，以1‑2.5kg/cm2为佳，2kg/cm2最佳；通过清洗液的高速冲刷和反应来清洗水垢；4]在清洗过程中不断进行PH值测定，若发现溶液PH值达到6.2以上时则向溶液中添加缓蚀剂和复合酸直至达到清洗终点；添加量根据储液池中已有的溶液量确定，达到清洗终点时停止清洗；5]清洗完后需要对炉体进行钝化处理；6]钝化完成后将纯净水循环进入炉内，循环时间为10h，每两小时更换一次水，清洗完成。