[发明专利]一种高锗浓度的锗硅外延方法有效
| 申请号： | 201010533250.3 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102465336A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 缪燕;季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B29/52 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高锗浓度的锗硅外延方法，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的无缺陷的锗硅外延薄膜。本发明在利用现有设备的前提下，平衡了生长速率与锗的掺杂浓度，获得高锗浓度的同时，外延的生长速率仅有很少的降低，能保证锗硅外延没有缺陷，达到器件要求，同时有足够的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种高锗浓度的锗硅外延方法，其特征在于，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的无缺陷的锗硅外延薄膜。
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