[发明专利]一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备有效
| 申请号： | 201010509992.2 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102005506A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;王朋;余学功;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池及其制备，其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锗和硼，锗的浓度为1018～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锗的晶体硅；将生长得到的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锗晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 衰减 晶体 太阳电池 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种抑制光衰减的掺锗晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在多晶硅原料中掺入锗和硼，锗的浓度为1018～1021cm‑3，硼的浓度为1015～1017cm‑3，然后在保护气氛下，生长掺锗的晶体硅；(2)将步骤(1)生长得到的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锗晶体硅太阳电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010509992.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于DSP的激光电源能量控制的方法
- 下一篇：无源太阳能水循环冷却系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
