[发明专利]用于大规模CIGS基薄膜光伏材料的室内钠掺杂方法和系统有效
| 申请号： | 201010293817.4 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102168252A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特D·维廷 | 申请（专利权）人： | 思阳公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/58;C23C14/16;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于大规模CIGS基薄膜光伏材料的室内钠掺杂方法和系统。本文提供了一种利用溅射工艺加工光伏材料的方法，包括提供至少一个具有上覆第一电极层的透明衬底。该方法进一步包括在第一室内利用第一溅射工艺由包含铜物种和镓物种的第一靶形成上覆铜和镓层。另外，该方法包括在第一室内利用第二溅射工艺由包含铟物种的第二靶形成覆盖铜和镓层的铟层。该方法进一步包括在第一室内利用第三溅射工艺形成覆盖铟层的含钠层，由此形成包括所述铜和镓层、铟层以及含钠层的复合膜。另外，该方法包括使该复合膜经历至少一个热处理工艺而形成其中包含铜、铟、镓和钠的黄铜矿吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大规模 cigs 薄膜 材料 室内 掺杂 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种利用溅射工艺加工光伏材料的方法，所述方法包括：提供至少一个具有上覆第一电极层的透明衬底；在第一室内利用第一溅射工艺，由包含铜物种和镓物种的第一靶形成上覆铜和镓层；在所述第一室内利用第二溅射工艺，由包含铟物种的第二靶形成覆盖所述铜和镓层的铟层；在所述第一室内利用第三溅射工艺，形成覆盖所述铟层的含钠层，由此形成包括所述铜和镓层、所述铟层以及所述含钠层的复合膜；以及使所述复合膜经历至少一个热处理工艺以形成其中包含铜、铟、镓和钠的黄铜矿吸收层。
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