[发明专利]一种建立MOSFET模型的方法有效
| 申请号： | 201010272044.1 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385647A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朱正鹏 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种建立MOSFET模型的方法，包括1、以所述MOSFET的栅极长度和栅极宽度为坐标轴建立坐标系，并在所述坐标系的整个器件尺寸阵列中提取全局模型；2、将所述步骤1所提取的全局模型中的参数Dvt0、Dvt1、Dvt2、nlx、prwg、prwb、k3、k3b、w0、dwg、dwb、b0、b1、l1、lw、lw1、ww、w1、ww1都设置为0；3、以所述步骤2所提取的全局模型为基础，提取所述器件尺寸阵列中所有MOSFET器件的单模型；4、提取分块模型。该方法用全局的方法建立分块模型，结合了全局模型和分块模型的优点，在消除参数不连续的同时还具有很好的模型精度，并且能快速建立模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 建立 mosfet 模型 方法 | ||
【主权项】：
一种建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤1、以所述MOSFET的栅极长度和栅极宽度为坐标轴建立坐标系，并在所述坐标系的整个器件尺寸阵列中提取全局模型；步骤2、将所述步骤1所提取的全局模型中的参数Dvt0、Dvt1、Dvt2、nlx、prwg、prwb、k3、k3b、w0、dwg、dwb、b0、b1、l1、lw、lw1、ww、w1、ww1都设置为0；步骤3、以所述步骤2所提取的全局模型为基础，提取所述器件尺寸阵列中所有MOSFET器件的单模型；步骤4、提取分块模型。
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