[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201010271491.5 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101944564A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;许亚兵;戚运东;罗正加 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 410007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，该芯片的边缘呈波纹状或者锯齿状。本发明提供的制备该芯片的方法包括以下步骤：在外延片上镀透明电极层，并进行MESA图形光刻；化学蚀刻；等离子体刻蚀；透明电极图形光刻；芯片电极图形光刻；以及金属蒸镀和剥离形成电极，其中，上述MESA图形光刻所用光刻版的边缘制作成波纹状或者锯齿状。根据本发明提供的LED芯片具有良好的光取出效率，克服了全反射对光取出效率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括外延片、形成在所述外延片上的透明电极层和芯片电极，其特征在于，所述芯片的边缘呈波纹状或者锯齿状。
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