[发明专利]消除刻蚀阻挡层损伤方法及应力记忆技术实现方法无效
| 申请号： | 201010261569.5 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376577A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除应力记忆技术刻蚀阻挡层刻蚀损伤的方法，该方法采用无定形碳化物代替氧化硅作为刻蚀阻挡层，由于氮化硅与无定形碳化物的刻蚀选择比大于8，从而使得在刻蚀氮化硅时，不易刻蚀掉氮化硅下的无定形碳化物，从而不会对无定形碳化物下的器件有源区造成损伤，避免了因刻蚀氮化硅对有源区造成损伤而引起的器件穿通效应，提高了器件的性能；同时，本发明还提供了一种实现应力记忆技术的方法，该方法采用无定形碳化物代替氧化硅作为刻蚀阻挡层，从而在提高NMOS晶体管的电子迁移率的同时，不会对PMOS晶体管的有源区造成影响，并且所述无定形碳化物可通过氧灰化方法除去，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 刻蚀 阻挡 损伤 方法 应力 记忆 技术 实现 | ||
【主权项】：
一种消除应力记忆技术刻蚀阻挡层刻蚀损伤的方法，其特征在于，该方法采用无定形碳化物作为刻蚀阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
