[发明专利]PECVD系统中的气体混合装置、方法和系统

摘要

本发明提供了一种PECVD系统中的气体混合装置，该装置包括：至少两个进气管、混合管、混合腔以及混合腔上的出气孔。PECVD的反应的原料气体首先分别通过至少两条进气管进入混合管内，在混合罐内初步混合后，进入混合腔的内腔进行混合，再通过混合腔壳体上的出气孔进入PECVD系统的反应腔。本发明提供的技术方案使反应气体进入反应腔前就得到充分混合，并且使反应气体在反应腔内能得到均匀分布，从而为沉积氮化硅膜制造了良好的反应条件，提高了膜厚和折射率两者的均匀性，解决了硅片的镀膜色差问题。

主权项

一种PECVD系统中的气体混合装置，其特征在于，该装置包括：至少两个进气管；混合管，该混合管的一端与所述至少两个进气管相连并流体相通，该混合管的另一端与混合腔相连并与混合腔的内腔流体相通；所述混合腔，该混合腔的壳体上具有至少一个出气孔，所述混合腔的内腔通过所述出气孔与所述PECVD系统的反应腔流体相通。