[发明专利]一种高熔点二硫化二苯并噻唑及其制法无效
| 申请号： | 201010252624.4 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101906081A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘方政 | 申请（专利权）人： | 刘方政 |
| 主分类号： | C07D277/78 | 分类号： | C07D277/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 276421 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种噻唑类硫化促进剂，特别是一种高熔点二硫化二苯并噻唑，其特征是，所述二硫化二苯并噻唑中含有硝酸根和/或异丙醇，其初熔点≥178℃，其中，硝酸根含量为2-50mg/kg，异丙醇含量为1-20mg/kg。与现有技术相比，本发明适用于大工业生产，制得的DM的熔点高于178℃，纯度大于99％，能够满足新头孢类药物的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 硫化 噻唑 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种高熔点二硫化二苯并噻唑，其特征是，所述二硫化二苯并噻唑中含有硝酸根和/或异丙醇，其初熔点≥178℃。
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