[发明专利]高平整度区熔硅抛光片的抛光工艺

摘要

本发明涉及高平整度区熔硅抛光片的抛光工艺，通过对4英寸、5英寸、6英寸区熔硅片进行有蜡抛光来生产高平整度硅抛光片，硅片经有蜡抛光工艺获得的高平整度区熔硅抛光片达到：厚度公差：±3μm，TTV：≤2μm，TIR：≤1μm，STIR 15*15：≤1μm，洁净度：＞0.3μm颗粒数：≤5个，采用包括上述工艺步骤的方法使4英寸、5英寸、6英寸区熔硅片经有蜡抛光工艺获得的高平整度区熔硅抛光片高于行业标准的产品，满足了半导体工业的电路集成度高、光刻线宽度细的需求，提高了基底硅抛光片质量，对器件与集成电路的电学性能和成品率有着极其重要的影响，降低了生产高平整度的区熔硅抛光片的难度，其技术对满足和适应大规模集成电路集成度提高的要求具有重大意义和实用价值。

主权项

高平整度区熔硅抛光片的抛光工艺，通过对4英寸、5英寸、6英寸区熔硅片进行有蜡抛光来生产高平整度硅抛光片，其特征在于，所述工艺包括以下次序的工艺步骤：(1)提高有蜡抛光系统中贴蜡机内的洁净级别，将有蜡抛光系统置于1000级大洁净室之内后，再将蜡抛光系统中的贴蜡机的贴蜡操作空间单独构成一个封闭的1级洁净空间，在此空间内对抛光前的硅片进行冲洗、贴蜡；(2)使用具有去除大于0.1μm颗粒去除力的兆声清洗机来清洗硅片，使硅片的清洁度达到：＞0.3μm颗粒数≤5个；(3)将刷洗干净的区熔硅片放置到贴蜡部，贴蜡部位的滴蜡量控制在每片贴蜡部的滴蜡量控制在每片2‑3ml范围；(4)将贴蜡后的超薄区熔硅片放到已预热的陶瓷板上进行贴片，陶瓷板温度控制范围为120‑150℃：(5)使用硅片压头对带有蜡膜的超薄区熔硅片进行加压，硅片压头的压力在10‑15psi之间进行调整；(6)粗抛光工艺，使用有蜡抛光系统进行两次粗抛光，粗抛光的压力为2.5‑4bar，每次粗抛光的时间控制在12‑15min，依次用粗抛光机‑1和粗抛光机‑2进行粗抛光，粗抛光机‑1和粗抛光机‑2的粗抛光加工的区熔硅片去除量分别为8μm抛光过程中，抛光垫温度控制在38℃以内；(7)中抛光工艺使用中抛机，中抛光压力在1.5‑2.5bar，时间8‑10min，其加工的区熔硅片去除量为3‑4μm；(8)最终抛光工艺使用精抛机，精抛光的压力为0.5‑1.5bar，时间控制在8‑10min，最终抛光加工的区熔硅片去除量为1μm；采用包括上述工艺步骤，使4、5、6英寸的区熔硅片经有蜡抛光工艺获得的高平整度硅抛光片达到：厚度公差：±3μm；TTV：≤2μm，TTV为总厚度偏差；STIR 15*15：≤1μm，TIR为局部平整度；TIR：≤1μm，TIR为平整度；清洁度：＞0.3μm颗粒数：≤5个。